CEVAP: Güç MOSFETi (metal oksit yarı iletken alan etkili transistör) bipolar transistörden farklı olarak gerilimle kontrol edilir. VGS sıfır iken MOSFET kesimdedir. Yaklaşık 3V uygulanınca iletime geçer. Düşük VDS değerleri için MOSFET sabit direnç özelliği gösterir. Güç kayıplarının az olması için güç MOSFETi bu bölgede çalıştırılır. Kapı gerilimi Drain akım sınırının yük akımından daha büyük olmasını sağlayacak büyüklükte tutulmalı fakat 20V’u geçmemelidir. MOSFET’in açma kapama zamanı 1µs’nin altındadır. İletim esnasındaki direnci 100V’luk MOSFET için 0,1? ; 500V’luk MOSFET için 0,5?’dur. Güç MOSFET’leri doğrudan mikro elektronik devrelerce kontrol edilebilir. Tristörden daha az gerilim seviyelerine sahip olmasına rağmen daha hızlıdır. 100V’daki iletim kayıpları tristör ve transistörden daha fazladır, ancak anahtarlama kayıpları çok daha azdır.